晶圆刻蚀方法-k66凯时

申请/专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司

申请日：2022-08-31

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117672843a

主分类号：h01l21/3213

分类号：h01l21/3213;h01j37/32

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本申请实施例公开了一种晶圆刻蚀方法，包括以下步骤：s1、在晶圆和等离子刻蚀机的等离子体反应腔的进气口之间安装等离子体控流装置；s2、在等离子刻蚀机的晶圆支撑台上放置晶圆；s3、设置刻蚀参数，并向等离子刻蚀机的等离子体反应腔内通入刻蚀气体对晶圆的进行刻蚀；s4、使用终点检测系统监控刻蚀过程，并进行主刻蚀阶段的刻蚀终点抓取和过刻蚀阶段的刻蚀终点抓取，主刻蚀阶段以主刻蚀膜层刻蚀产物的光学信号进行刻蚀终点抓取，过刻蚀阶段以停止层刻蚀产物的光学信号进行刻蚀终点抓取。该方法能够提升刻蚀均一性，并能够缓解刻蚀气体直接被真空泵吸走导致浪费的问题，并能够在保证主刻蚀膜层刻蚀完全的同时，将停止层的损耗降到最低。

主权项：1.晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、在等离子刻蚀机的晶圆支撑台和等离子刻蚀机的等离子体反应腔的进气口之间安装等离子体控流装置；所述等离子体控流装置包括靠近等离子体反应腔的进气口的第一环形体、靠近等离子体反应腔的排气口的第二环形体和连接在第一环形体和第二环形体之间的环形连接体，所述环形连接体、第一环形体和第二环形体共同围合形成控流腔，所述第一环形体的内孔形成供等离子体进入所述控流腔的进流口，所述环形连接体设有供等离子体流出所述控流腔的出流口，晶圆位于所述第一环形体的内孔在所述晶圆支撑台上的投影区域内、也位于所述第二环形体的内孔在所述晶圆支撑台上的投影区域内；s2、在等离子刻蚀机的晶圆支撑台上放置晶圆；s3、设置刻蚀参数，并向等离子刻蚀机的等离子体反应腔内通入刻蚀气体对晶圆进行刻蚀；所述刻蚀参数包括：等离子刻蚀机的上射频功率、等离子刻蚀机的下射频功率、等离子刻蚀机的冷水机温度、等离子体反应腔的腔压、刻蚀气体及其流量。

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