申请/专利权人:浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日:2022-09-08
公开(公告)日:2024-03-08
公开(公告)号:cn117673177a
主分类号:h01l31/0224
分类号:h01l31/0224;h01l31/05;h01l31/06
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.03.08#公开
摘要:本申请实施例涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:基底,基底具有相对的正面以及背面;位于与金属图案区域对准的基底正面上且在沿背离基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层,第一掺杂导电层的掺杂元素类型与基底中的掺杂元素类型相同;位于基底背面且在沿背离基底的方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层,第二掺杂导电层的掺杂元素类型与第一掺杂导电层的掺杂元素类型不同;扩散区,位于与金属图案区域对准的基底中,扩散区顶部与第一隧穿层底面相接触,扩散区的掺杂元素浓度大于基底中的掺杂元素浓度。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
主权项:1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:基底,所述基底具有相对的正面以及背面;位于与金属图案区域对准的所述基底正面上且在沿背离所述基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层,所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型与所述基底中的掺杂元素类型相同;位于所述基底背面且在沿背离所述基底的方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层,所述第二掺杂导电层的掺杂元素类型与所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型不同;扩散区,所述扩散区位于与所述金属图案区域对准的基底中,所述扩散区顶部与所述第一隧穿层底面相接触,所述扩散区的掺杂元素浓度大于所述基底中的掺杂元素浓度。
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