k66凯时
k66凯时
k66凯时-凯时尊龙官网 专利交易 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
清空
  • 我要求购
  • 我要出售
导航: > >

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日:2022-08-29

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:cn117673045a

主分类号:h01l23/544

分类号:h01l23/544;h01l21/66;h01l27/02

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.03.08#公开

摘要:一种半导体结构、形成方法及版图设计方法、电路及工作方法,结构包括:衬底,所述衬底包括中间区和位于中间区周围的边缘区;位于中间区上的若干层垂直堆叠的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层平行于第一方向,所述第二金属层平行于第二方向,所述第一方向和第二方向平行于衬底表面,且所述第一方向和第二方向相互垂直;位于边缘区的若干相连接的边缘电路单元,所述边缘电路单元用于监控产品的缺陷。所述半导体结构使得芯片利用率提升。

主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括中间区和位于中间区周围的边缘区;位于中间区上的若干层垂直堆叠的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层平行于第一方向,所述第二金属层平行于第二方向,所述第一方向和第二方向平行于衬底表面,且所述第一方向和第二方向相互垂直;位于边缘区的若干相连接的边缘电路单元,所述边缘电路单元包括短路单元和开路单元,所述边缘电路单元包括至少一层金属结构,所述金属结构与所述第二金属层平行,且所述金属结构顶部表面与所述第二金属层的顶部表面齐平。

全文数据:

权利要求:

百度查询:

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

网站地图