半导体结构、形成方法及版图设计方法、电路及工作方法-k66凯时

申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-08-29

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117673045a

主分类号：h01l23/544

分类号：h01l23/544;h01l21/66;h01l27/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：一种半导体结构、形成方法及版图设计方法、电路及工作方法，结构包括：衬底，所述衬底包括中间区和位于中间区周围的边缘区；位于中间区上的若干层垂直堆叠的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层平行于第一方向，所述第二金属层平行于第二方向，所述第一方向和第二方向平行于衬底表面，且所述第一方向和第二方向相互垂直；位于边缘区的若干相连接的边缘电路单元，所述边缘电路单元用于监控产品的缺陷。所述半导体结构使得芯片利用率提升。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括中间区和位于中间区周围的边缘区；位于中间区上的若干层垂直堆叠的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层平行于第一方向，所述第二金属层平行于第二方向，所述第一方向和第二方向平行于衬底表面，且所述第一方向和第二方向相互垂直；位于边缘区的若干相连接的边缘电路单元，所述边缘电路单元包括短路单元和开路单元，所述边缘电路单元包括至少一层金属结构，所述金属结构与所述第二金属层平行，且所述金属结构顶部表面与所述第二金属层的顶部表面齐平。

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