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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日:2022-08-29

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:cn117672888a

主分类号:h01l21/66

分类号:h01l21/66;h01l27/02

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.03.08#公开

摘要:一种半导体结构、形成方法及版图设计方法、电路及工作方法,结构包括:衬底,所述衬底包括中间区和位于中间区周围的边缘区;位于中间区上的若干层垂直堆叠的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层平行于第一方向,所述第二金属层平行于第二方向,所述第一方向和第二方向平行于衬底表面,且所述第一方向和第二方向相互垂直;位于边缘区的若干相连接的边缘电路单元,所述边缘电路单元包括短路单元或开路单元,所述边缘电路单元包括至少一层金属结构,所述金属结构与所述第一金属层平行,且所述金属结构的顶部表面与第一金属层的顶部表面齐平。所述半导体结构使得芯片利用率提升。

主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括中间区和位于中间区周围的边缘区;位于中间区上的若干层垂直堆叠的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层平行于第一方向,所述第二金属层平行于第二方向,所述第一方向和第二方向平行于衬底表面,且所述第一方向和第二方向相互垂直;位于边缘区的若干相连接的边缘电路单元,所述边缘电路单元包括短路单元或开路单元,所述边缘电路单元包括至少一层金属结构,所述金属结构与所述第一金属层平行,且所述金属结构顶部表面与所述第一金属层的顶部表面齐平。

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