晶圆减薄方法、金属标记的形成方法及晶圆结构-k66凯时

申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-09-01

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117672836a

主分类号：h01l21/306

分类号：h01l21/306;h01l23/544

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本申请提供一种晶圆减薄方法、金属标记的形成方法及晶圆结构，所述晶圆减薄方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆包括衬底和位于所述衬底上的键合层；对所述第二晶圆的键合层和部分衬底进行修边处理；将所述键合层和第一晶圆进行键合，并去除所述第二晶圆上未进行修边处理的衬底；采用刻蚀工艺减薄所述衬底，其中所述刻蚀工艺对所述衬底的边缘区域的刻蚀速率大于其他区域的刻蚀速率，且对所述边缘区域的刻蚀速率从所述衬底的最边缘向中心方向逐渐递减；采用化学机械研磨工艺减薄所述衬底至目标厚度。本申请技术方案能够解决因籽晶层薄且不连续而导致形成金属标记时无法正常对晶圆进行加电的问题。

主权项：1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆包括具有第一厚度的衬底和位于所述衬底上的键合层；对所述第二晶圆的键合层和部分衬底进行修边处理；将所述键合层和第一晶圆进行键合，并去除所述第二晶圆上未进行修边处理的衬底，余下的衬底具有第二厚度；采用刻蚀工艺减薄所述衬底至第三厚度，其中所述刻蚀工艺对所述衬底的边缘区域的刻蚀速率大于其他区域的刻蚀速率，且对所述边缘区域的刻蚀速率从所述衬底的最边缘向中心方向逐渐递减；采用化学机械研磨工艺减薄所述衬底至目标厚度。

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