半导体结构及半导体结构的制备方法-k66凯时

申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-08-15

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117677180a

主分类号：h10b12/00

分类号：h10b12/00

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本公开实施例涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：多条字线以及多条位线，字线的延伸方向与位线的延伸方向不同；阶梯结构，阶梯结构包括多级台阶，每一级台阶至少包括相接的第一部分与第二部分，第一部分沿第一方向延伸，第二部分沿第二方向延伸，第一方向与第二方向不同；多个电接触结构，电接触结构覆盖部分第一部分以及第二部分的台阶顶面，且电接触结构与字线或者位线接触。本公开实施例有利于降低半导体结构中引线的排布难度。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多条字线以及多条位线，所述字线的延伸方向与所述位线的延伸方向不同；阶梯结构，所述阶梯结构包括多级台阶，所述台阶至少包括相接的第一部分与第二部分，所述第一部分沿第一方向延伸，所述第二部分沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向不同；多个电接触结构，所述电接触结构覆盖部分所述第一部分以及所述第二部分的台阶顶面，且所述电接触结构与所述字线或者所述位线接触。

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