半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件-k66凯时

申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-08-10

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117677204a

主分类号：h10b80/00

分类号：h10b80/00;h01l23/50

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件，半导体结构包括：基板，所述基板具有凹槽和供电引脚；存储模块，位于所述凹槽内；所述存储模块包括在第一方向堆叠的多个存储芯片，所述第一方向平行于所述凹槽的底面；每个所述存储芯片内具有供电信号线，所述多个存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电布线层与所述供电信号线电连接；导电部，与所述供电布线层和所述供电引脚相连。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基板，所述基板具有凹槽和供电引脚；存储模块，位于所述凹槽内；所述存储模块包括在第一方向堆叠的多个存储芯片，所述第一方向平行于所述凹槽的底面；每个所述存储芯片内具有供电信号线，所述多个存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电布线层与所述供电信号线电连接；导电部，与所述供电布线层和所述供电引脚相连。

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