半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件-k66凯时

申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-08-10

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117677207a

主分类号：h10b80/00

分类号：h10b80/00;h01l23/488;h01l23/50;h01l25/00

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件，半导体结构包括：逻辑芯片，具有供电端口；存储模块，位于所述逻辑芯片的上表面，所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；每个所述存储芯片具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，且所述供电布线层与所述供电信号线电连接；所述供电布线层朝向或远离所述逻辑芯片的端面被所述存储芯片露出；所述供电布线层被露出的端面与所述供电端口电连接。本公开实施例至少可以统一多个存储芯片的通信延时，且提高运行速率，还有利于提高供电的稳定性。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：逻辑芯片，具有供电端口；存储模块，位于所述逻辑芯片的上表面，所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；每个所述存储芯片具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，且所述供电布线层与所述供电信号线电连接；所述供电布线层朝向或远离所述逻辑芯片的端面被所述存储芯片露出；所述供电布线层被露出的端面与所述供电端口电连接。

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