半导体结构的制备方法及半导体结构-k66凯时

申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117672834a

主分类号：h01l21/28

分类号：h01l21/28;h01l29/06;h01l21/336;h01l29/78;h01l29/417

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本公开涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，方法包括提供衬底，衬底内包括沿平行于衬底的第一方向依次分布的源区、沟道区及漏区，沟道区的正上方包括栅极；于源区及漏区内形成凹槽；在反应腔室内通过控制射频偏压功率及含有目标元素的反应流体的流量，使得反应流体与衬底在预设温度下反应，至少在凹槽的内表面形成预设厚度的含有目标元素的初始阻挡层；在反应腔室内退火处理初始阻挡层，去除初始阻挡层中金属态目标元素，得到目标阻挡层，于凹槽内形成至少填满凹槽的电极，电极的厚度大于目标阻挡层的厚度。由目标阻挡层避免镍硅化物产生刺穿缺陷影响半导体结构，提高半导体结构的良率及可靠性。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内包括沿平行于所述衬底的第一方向依次分布的源区、沟道区及漏区，所述沟道区的正上方包括栅极；于所述源区及所述漏区内形成凹槽；在反应腔室内通过控制射频偏压功率及含有目标元素的反应流体的流量，使得所述反应流体与所述衬底在预设温度下反应，至少在所述凹槽的内表面形成预设厚度的含有所述目标元素的初始阻挡层；在所述反应腔室内退火处理所述初始阻挡层，去除所述初始阻挡层中金属态目标元素，得到目标阻挡层；于所述凹槽内形成至少填满所述凹槽的电极，所述电极的厚度大于所述目标阻挡层的厚度。

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