半导体结构和半导体电路-k66凯时

申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-09-25

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn110957365b

主分类号：h01l29/78

分类号：h01l29/78;h01l29/04;h01l27/092;h01l29/20;h01l29/205

优先权：["20180927 us 62/737,447","20190314 us 16/353,664"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.03#公开

摘要：本发明描述了半导体结构，该半导体结构包括来自未掺杂半导体材料的衬底和设置在衬底上的鳍。该鳍包括非极性顶面和两个相对的第一和第二极性侧壁表面。该半导体结构还包括位于第一极性侧壁表面上的极化层、位于极化层上的掺杂半导体层、位于掺杂半导体层和第二极性侧壁表面上的介电层，以及位于介电层和第一极性侧壁表面上的栅电极层。本发明的实施例还涉及半导体电路。

主权项：1.一种半导体结构，包括：鳍，包括非极性顶面和两个相对的第一极性侧壁表面和第二极性侧壁表面；第一极性层，位于所述第一极性侧壁表面上；第二极性层，位于所述第二极性侧壁表面上；栅电极层，位于所述第一极性层和所述第二极性层上；第一掺杂半导体材料层，位于所述鳍的未由所述第一极性层覆盖的所述第一极性侧壁表面上；第二掺杂半导体材料层，位于所述鳍的未由所述第二极性层覆盖的所述第二极性侧壁表面上；第一电极，位于所述第一掺杂半导体材料上；以及第二电极，位于所述第二掺杂半导体材料上，其中，所述第一电极与所述第二电极不同。

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