半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体器件-k66凯时

申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-08-10

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117677205a

主分类号：h10b80/00

分类号：h10b80/00;h01l23/50

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体器件，半导体结构的制造方法包括：提供多个芯片，芯片包括在第一方向排列的元件区和划片道区；多个芯片中的至少一者具有供电布线层，供电布线层从元件区延伸至划片道区；将多个芯片堆叠设置，以形成芯片模块；芯片的堆叠方向为第二方向，第二方向与第一方向垂直；多个芯片的元件区相重叠，多个芯片的划片道区相重叠；形成芯片模块后，对多个划片道区远离元件区的侧面进行平坦化处理，以至少去除部分划片道区，并露出供电布线层；在平坦化处理的侧面形成焊盘，焊盘与供电布线层相连。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供多个芯片，所述芯片包括在第一方向排列的元件区和划片道区；所述多个芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电布线层从所述元件区延伸至所述划片道区；将多个所述芯片堆叠设置，以形成芯片模块；所述芯片的堆叠方向为第二方向，所述第二方向与所述第一方向垂直；多个所述芯片的所述元件区相重叠，多个所述芯片的所述划片道区相重叠；形成所述芯片模块后，对多个所述划片道区远离所述元件区的侧面进行平坦化处理，以至少去除部分所述划片道区，并露出所述供电布线层；在所述平坦化处理的侧面形成焊盘，所述焊盘与所述供电布线层相连。

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