半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件-k66凯时

申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-08-10

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117677206a

主分类号：h10b80/00

分类号：h10b80/00;h01l23/538

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件，半导体结构包括：逻辑芯片，具有第一无线通信部；多个存储模块，沿第一方向堆叠在所述逻辑芯片的上表面，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；第一胶膜，位于相邻所述存储模块之间，且与所述存储模块粘接；所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述存储芯片具有第二无线通信部，所述第二无线通信部与所述第一无线通信部进行无线通信；多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电布线层沿着所述存储芯片的有源面向所述逻辑芯片延伸。本公开实施例至少可以增加存储芯片的堆叠层数，且提高半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：逻辑芯片，具有第一无线通信部；多个存储模块，沿第一方向堆叠在所述逻辑芯片的上表面，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；第一胶膜，位于相邻所述存储模块之间，且与所述存储模块粘接；所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述存储芯片具有第二无线通信部，所述第二无线通信部与所述第一无线通信部进行无线通信；多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电布线层沿着所述存储芯片的有源面向所述逻辑芯片延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询：

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。