半导体结构的形成方法-k66凯时

申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-08-31

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117672859a

主分类号：h01l21/336

分类号：h01l21/336;h01l29/78

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：在部分衬底上形成复合层和横跨复合层的伪栅极结构，伪栅极结构位于复合层部分顶部和部分侧壁表面，伪栅极结构两侧的复合层和衬底内具有凹槽，凹槽暴露出的第一牺牲层侧壁相对沟道层侧壁凹陷，凹槽包括位于衬底内的第一区和位于复合层内的第二区；在第二区侧壁形成初始内侧墙，初始内侧墙位于沟道层侧壁表面；在第一区的侧壁表面和底部表面形成第二牺牲层；形成第二牺牲层之后，刻蚀初始内侧墙，直到暴露出沟道层侧壁，在第一牺牲层侧壁形成内侧墙；形成内侧墙之后，回刻暴露出的沟道层；在回刻暴露出的沟道层之后，在凹槽内形成源漏层，减低器件的体漏电产生的概率，提高器件性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在部分所述衬底上形成复合层和横跨所述复合层的伪栅极结构，所述伪栅极结构位于部分所述复合层顶部和部分侧壁表面，所述复合层包括若干层重叠的第一牺牲层和相邻两层第一牺牲层之间的沟道层，所述伪栅极结构两侧的所述复合层和所述衬底内具有凹槽，所述凹槽暴露出的所述第一牺牲层侧壁相对所述沟道层侧壁凹陷，所述凹槽包括位于所述衬底内的第一区和位于所述复合层内的第二区；在所述第二区侧壁形成初始内侧墙，所述初始内侧墙位于所述沟道层侧壁表面；在所述第一区的侧壁表面和底部表面形成第二牺牲层；形成所述第二牺牲层之后，刻蚀所述初始内侧墙，直到暴露出所述沟道层侧壁，在所述第一牺牲层侧壁形成内侧墙；形成所述内侧墙之后，回刻暴露出的所述沟道层；在回刻暴露出的所述沟道层之后，在所述凹槽内形成源漏层。

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