半导体结构的形成方法-k66凯时

申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-08-26

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117672856a

主分类号：h01l21/336

分类号：h01l21/336;h01l21/3205;h01l21/3213

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底上具有鳍部，鳍部包括沿第一方向排布的若干器件区以及至少一个隔离区，隔离区位于相邻器件区之间；在衬底上形成介质层和第一栅极结构，第一栅极结构横跨鳍部，第一栅极结构位于隔离区上，介质层覆盖第一栅极结构的侧壁；在介质层上形成掩膜结构，掩膜结构内具有暴露出第一栅极结构顶部表面的掩膜开口；以掩膜结构为掩膜，采用各向异性干法刻蚀工艺去除第一栅极结构、以及部分被第一栅极结构覆盖的鳍部，在介质层和鳍部内形成隔离开口；在隔离开口内形成隔离结构。通过各向异性干法刻蚀工艺去除第一栅极结构，能减少对第一栅极结构相邻的器件结构造成损伤，进而提升最终形成的半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部包括沿第一方向排布的若干器件区以及至少一个隔离区，所述隔离区位于相邻所述器件区之间；在所述衬底上形成介质层和第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨所述鳍部，所述第一栅极结构位于所述隔离区上，所述介质层覆盖所述第一栅极结构的侧壁；在所述介质层上形成掩膜结构，所述掩膜结构内具有暴露出所述第一栅极结构顶部表面的掩膜开口；以所述掩膜结构为掩膜，采用各向异性干法刻蚀工艺去除所述第一栅极结构、以及部分被所述第一栅极结构覆盖的鳍部，在所述介质层和所述鳍部内形成隔离开口；在所述隔离开口内形成隔离结构。

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